國家存儲器基地項目位于武漢東湖高新區(qū)，未來將建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的3D、NAND、Flash FAB廠房，占地1968畝。該基地的建立，將以芯片制造環(huán)節(jié)為突破口，集儲存器產(chǎn)品設(shè)計、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測試、銷售于一體，標(biāo)志著我國已經(jīng)走在了芯片自主創(chuàng)新之路上。

　　

　　一直以來，電子廠房對于中央空調(diào)設(shè)備就有著較高的要求，所以在招標(biāo)過程中也設(shè)立了極為苛刻的條件。在國家儲存基地工程一期（二階段）工程項目工藝設(shè)備購裝-B標(biāo)段中央空調(diào)及凈化設(shè)備的招標(biāo)中，最終由清華同方脫穎而出。

　　

　　值得一提的是，迄今為止，清華同方已經(jīng)中標(biāo)多個國家存儲及相關(guān)項目，累計中標(biāo)金額高達(dá)6億元。來自市場的認(rèn)可，也恰恰佐證了清華同方產(chǎn)品設(shè)備的可靠性，未來，清華同方仍將堅持把良好的產(chǎn)品和服務(wù)帶給市場，以爭取更加廣闊的未來和發(fā)展前景。